NE856M02-T1-AZ
NE856M02-T1-AZ
Modèle de produit:
NE856M02-T1-AZ
Fabricant:
CEL (California Eastern Laboratories)
La description:
RF TRANSISTOR NPN SOT-89
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
76837 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NE856M02-T1-AZ.pdf

introduction

NE856M02-T1-AZ meilleur prix et livraison rapide.
BOSER Technology est le distributeur pour NE856M02-T1-AZ, nous avons les stocks pour une expédition immédiate et aussi pour une fourniture à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour NE856M02-T1-AZ par courriel, nous vous donnerons le meilleur prix en fonction de votre plan.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):12V
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:SOT-89
Séries:-
Puissance - Max:1.2W
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:TO-243AA
Autres noms:NE856M02-T1-AZCT
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Noise Figure (dB Typ @ f):1.1dB @ 1GHz
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Gain:12dB
Fréquence - Transition:6.5GHz
Description détaillée:RF Transistor NPN 12V 100mA 6.5GHz 1.2W Surface Mount SOT-89
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:50 @ 20mA, 10V
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Numéro de pièce de base:NE856
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes