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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - RF > NE462M02-AZ
NE462M02-AZ
NE462M02-AZ
Modèle de produit:
NE462M02-AZ
Fabricant:
CEL (California Eastern Laboratories)
La description:
RF TRANSISTOR NPN SOT-90
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
74479 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NE462M02-AZ.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):12V
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:-
Séries:-
Puissance - Max:1.8W
Emballage:Strip
Package / Boîte:TO-243AA
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Noise Figure (dB Typ @ f):3.5dB @ 1GHz
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Gain:10dB
Fréquence - Transition:6GHz
Description détaillée:RF Transistor NPN 12V 150mA 6GHz 1.8W Surface Mount
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:50 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max):150mA
Email:[email protected]

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