NAND512R3A3AZA6E
Modèle de produit:
NAND512R3A3AZA6E
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
IC FLASH 512M PARALLEL 55VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
52641 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NAND512R3A3AZA6E.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:60ns
Tension - Alimentation:1.7 V ~ 1.95 V
La technologie:FLASH - NAND
Package composant fournisseur:55-VFBGA (8x10)
Séries:-
Emballage:Tray
Package / Boîte:55-TFBGA
Autres noms:497-3616
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Type de mémoire:Non-Volatile
Taille mémoire:512Mb (64M x 8)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 60ns 55-VFBGA (8x10)
Numéro de pièce de base:NAND512
Temps d'accès:60ns
Email:[email protected]

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