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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > N25Q512A83GSFA0F TR
N25Q512A83GSFA0F TR
Modèle de produit:
N25Q512A83GSFA0F TR
Fabricant:
Micron Technology
La description:
IC FLASH 512M SPI 108MHZ SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
93679 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
N25Q512A83GSFA0F TR.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:8ms, 5ms
Tension - Alimentation:2.7 V ~ 3.6 V
La technologie:FLASH - NOR
Séries:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Autres noms:N25Q512A83GSFA0F TR-ND
N25Q512A83GSFA0FTR
Température de fonctionnement:-40°C ~ 125°C (TA)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Non-Volatile
Taille mémoire:512Mb (128M x 4)
Interface mémoire:SPI
Format de mémoire:FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:FLASH - NOR Memory IC 512Mb (128M x 4) SPI 108MHz
Fréquence d'horloge:108MHz
Email:[email protected]

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