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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > N25Q008A11EF640E
N25Q008A11EF640E
Modèle de produit:
N25Q008A11EF640E
Fabricant:
Micron Technology
La description:
IC FLASH 8M SPI 108MHZ SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
66949 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
N25Q008A11EF640E.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:8ms, 5ms
Tension - Alimentation:1.7 V ~ 2 V
La technologie:FLASH - NOR
Séries:-
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Non-Volatile
Taille mémoire:8Mb (1M x 8)
Interface mémoire:SPI
Format de mémoire:FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:FLASH - NOR Memory IC 8Mb (1M x 8) SPI 108MHz
Fréquence d'horloge:108MHz
Numéro de pièce de base:N25Q008A11
Email:[email protected]

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