| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Transistor Type: | NPN - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur: | SC-59 |
| Séries: | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 4.7 kOhms |
| Résistance - Base (R1): | 4.7 kOhms |
| Puissance - Max: | 338mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms: | MUN2232T1G-ND MUN2232T1GOSTR |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 338mW Surface Mount SC-59 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 15 @ 5mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Numéro de pièce de base: | MUN2232 |
| Email: | [email protected] |
