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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT47H128M8CF-25E:M
MT47H128M8CF-25E:M
Modèle de produit:
MT47H128M8CF-25E:M
Fabricant:
Micron Technology
La description:
IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
82109 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
MT47H128M8CF-25E:M.pdf
Enquête

introduction

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Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:15ns
Tension - Alimentation:1.7 V ~ 1.9 V
La technologie:SDRAM - DDR2
Séries:-
Température de fonctionnement:0°C ~ 85°C (TC)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:1Gb (128M x 8)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 400MHz 400ps
Fréquence d'horloge:400MHz
Temps d'accès:400ps
Email:[email protected]

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