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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT44K64M18RB-083E:A
MT44K64M18RB-083E:A
Modèle de produit:
MT44K64M18RB-083E:A
Fabricant:
Micron Technology
La description:
IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
91644 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
MT44K64M18RB-083E:A.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:-
Tension - Alimentation:1.28 V ~ 1.42 V
La technologie:DRAM
Séries:-
Température de fonctionnement:0°C ~ 95°C (TC)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:1.125Gb (64Mb x 18)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:DRAM Memory IC 1.125Gb (64Mb x 18) Parallel 1200MHz 7.5ns
Fréquence d'horloge:1200MHz
Temps d'accès:7.5ns
Email:[email protected]

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