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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A TR
MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A TR
Modèle de produit:
MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A TR
Fabricant:
Micron Technology
La description:
IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
61568 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A TR.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:-
Tension - Alimentation:2.5 V ~ 3.6 V
La technologie:FLASH - NAND
Séries:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Autres noms:MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A TR-ND
MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:ATR
Température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Non-Volatile
Taille mémoire:2Tb (256G x 8)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:FLASH - NAND Memory IC 2Tb (256G x 8) Parallel 333MHz
Fréquence d'horloge:333MHz
Email:[email protected]

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