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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR
Modèle de produit:
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR
Fabricant:
Micron Technology
La description:
IC FLASH 2G SPI 8UPDFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
79534 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:-
Tension - Alimentation:1.7 V ~ 1.95 V
La technologie:FLASH - NAND
Package composant fournisseur:8-U-PDFN (8x6)
Séries:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-UDFN
Autres noms:557-1665-2
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR-ND
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Non-Volatile
Taille mémoire:2Gb (2G x 1)
Interface mémoire:SPI
Format de mémoire:FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:FLASH - NAND Memory IC 2Gb (2G x 1) SPI 8-U-PDFN (8x6)
Email:[email protected]

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