| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | - |
| Tension - Alimentation: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| La technologie: | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
| Package composant fournisseur: | - |
| Séries: | - |
| Emballage: | - |
| Package / Boîte: | - |
| Autres noms: | MT29C4G96MAYAPCMJ-5 IT-ND MT29C4G96MAYAPCMJ-5IT |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage: | - |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Non-Volatile |
| Taille mémoire: | 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | FLASH, RAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Parallel 200MHz |
| Fréquence d'horloge: | 200MHz |
| Numéro de pièce de base: | MT29C4G96M |
| Email: | [email protected] |
