MSRT200120(A)D
MSRT200120(A)D
Modèle de produit:
MSRT200120(A)D
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
La description:
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
41914 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
MSRT200120(A)D.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.1V @ 200A
Tension - inverse (Vr) (max):1200V
Package composant fournisseur:Three Tower
La vitesse:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries:-
Emballage:Bulk
Package / Boîte:Three Tower
Température d'utilisation - Jonction:-55°C ~ 150°C
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type de diode:Standard
Configuration diode:1 Pair Series Connection
Description détaillée:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1200V 200A Chassis Mount Three Tower
Courant - fuite, inverse à Vr:10µA @ 1200V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):200A
Email:[email protected]

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