| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 20V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 10µA, 10mA |
| Transistor Type: | NPN - Darlington |
| Package composant fournisseur: | TO-92-3 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 625mW |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Autres noms: | MPSA12-ND MPSA12OS |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Fréquence - Transition: | - |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 20V 625mW Through Hole TO-92-3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 20000 @ 10mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Numéro de pièce de base: | MPSA12 |
| Email: | [email protected] |
