| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 12V |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | TO-92-3 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 350mW |
| Emballage: | Tape & Box (TB) |
| Package / Boîte: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Noise Figure (dB Typ @ f): | 5dB @ 200MHz |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gain: | 15dB |
| Fréquence - Transition: | 2GHz |
| Description détaillée: | RF Transistor NPN 12V 50mA 2GHz 350mW Through Hole TO-92-3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 25 @ 3mA, 1V |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 50mA |
| Numéro de pièce de base: | MPS5179 |
| Email: | [email protected] |
