MGSF1P02LT1
MGSF1P02LT1
Modèle de produit:
MGSF1P02LT1
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET P-CH 20V 750MA SOT-23
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité:
52993 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
MGSF1P02LT1.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SOT-23-3 (TO-236)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:350 mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):400mW (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:MGSF1P02LT1OSTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:130pF @ 5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:P-Channel 20V 750mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:750mA (Ta)
Email:[email protected]

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