MBRD660CTT4G
MBRD660CTT4G
Modèle de produit:
MBRD660CTT4G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
71191 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
MBRD660CTT4G.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:700mV @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max):60V
Package composant fournisseur:DPAK
La vitesse:Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries:SWITCHMODE™
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:MBRD660CTT4GOSCT
Température d'utilisation - Jonction:-65°C ~ 175°C
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:5 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type de diode:Schottky
Configuration diode:1 Pair Common Cathode
Description détaillée:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60V 3A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Courant - fuite, inverse à Vr:100µA @ 60V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):3A
Numéro de pièce de base:MBRD660CT
Email:[email protected]

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