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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > JANS2N3810L/TR
JANS2N3810L/TR
Modèle de produit:
JANS2N3810L/TR
Fabricant:
Microsemi
La description:
BJTS
Quantité:
64755 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
JANS2N3810L/TR.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 100µA, 1mA
Transistor Type:2 PNP (Dual)
Package composant fournisseur:TO-78
Séries:Military, MIL-PRF-19500/336
Puissance - Max:350mW
Package / Boîte:TO-78-6 Metal Can
Autres noms:JANS2N3810L/TRMS
Température de fonctionnement:-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:150 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):10µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):50mA
Email:[email protected]

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