IXTP230N04T4
IXTP230N04T4
Modèle de produit:
IXTP230N04T4
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH
Quantité:
27984 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXTP230N04T4.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±15V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220AB
Séries:TrenchT4™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.9 mOhm @ 115A, 10V
Dissipation de puissance (max):340W (Tc)
Package / Boîte:TO-220-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:7400pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:140nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):40V
Description détaillée:N-Channel 40V 230A (Tc) 340W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:230A (Tc)
Email:[email protected]

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