IXTH13N110
IXTH13N110
Modèle de produit:
IXTH13N110
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
71227 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXTH13N110.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-247 (IXTH)
Séries:MegaMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:920 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max):360W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:5650pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:195nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):1100V
Description détaillée:N-Channel 1100V 13A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:13A (Tc)
Email:[email protected]

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