IXTA26P10T
IXTA26P10T
Modèle de produit:
IXTA26P10T
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET P-CH 100V 26A TO-263
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
69690 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXTA26P10T.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±15V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-263 (IXTA)
Séries:TrenchP™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:90 mOhm @ 13A, 10V
Dissipation de puissance (max):150W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3820pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:52nC @ 10V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:P-Channel 100V 26A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:26A (Tc)
Email:[email protected]

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