IXFX27N80Q
IXFX27N80Q
Modèle de produit:
IXFX27N80Q
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
59739 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXFX27N80Q.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PLUS247™-3
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:320 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max):500W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:7600pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:170nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):800V
Description détaillée:N-Channel 800V 27A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:27A (Tc)
Email:[email protected]

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