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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFR12N100Q
IXFR12N100Q
IXFR12N100Q
Modèle de produit:
IXFR12N100Q
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
80132 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXFR12N100Q.pdf
Enquête

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:5.5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:ISOPLUS247™
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.1 Ohm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max):250W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:ISOPLUS247™
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2900pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:90nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):1000V
Description détaillée:N-Channel 1000V 10A (Tc) 250W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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