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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFQ50N50P3
IXFQ50N50P3
IXFQ50N50P3
Modèle de produit:
IXFQ50N50P3
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
69915 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXFQ50N50P3.pdf
Enquête

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-3P
Séries:HiPerFET™, Polar3™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:120 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max):960W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4335pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:85nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):500V
Description détaillée:N-Channel 500V 50A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-3P
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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