Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFN40N110Q3
IXFN40N110Q3
IXFN40N110Q3
Modèle de produit:
IXFN40N110Q3
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
78311 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXFN40N110Q3.pdf
Enquête

introduction

IXFN40N110Q3 meilleur prix et livraison rapide.
BOSER Technology est le distributeur pour IXFN40N110Q3, nous avons les stocks pour une expédition immédiate et aussi pour une fourniture à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour IXFN40N110Q3 par courriel, nous vous donnerons le meilleur prix en fonction de votre plan.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:6.5V @ 8mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SOT-227B
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:260 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max):960W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:14000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):1100V
Description détaillée:N-Channel 1100V 35A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes IXFN40N110Q3

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
IXFN36N100 Image IXFN36N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B Enquête
IXFN40N90P Image IXFN40N90P IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 Enquête
IXFN38N100Q2 Image IXFN38N100Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 Enquête
IXFN44N60 Image IXFN44N60 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B Enquête
IXFN38N100P Image IXFN38N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B Enquête
IXFN400N15X3 Image IXFN400N15X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH Enquête
IXFN36N110P Image IXFN36N110P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B Enquête
IXFN44N50U2 Image IXFN44N50U2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B Enquête
IXFN36N60 Image IXFN36N60 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B Enquête
IXFN44N50Q Image IXFN44N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B Enquête
IXFN44N50U3 Image IXFN44N50U3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B Enquête
IXFN44N100P Image IXFN44N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B Enquête
IXFN38N80Q2 Image IXFN38N80Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227 Enquête
IXFN44N50 Image IXFN44N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B Enquête
IXFN40N110P Image IXFN40N110P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B Enquête
IXFN420N10T Image IXFN420N10T IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227 Enquête
IXFN39N90 Image IXFN39N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B Enquête
IXFN360N15T2 Image IXFN360N15T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 310A SOT227 Enquête
IXFN44N100Q3 Image IXFN44N100Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 Enquête
IXFN44N80 Image IXFN44N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B Enquête

Latest Nouvelles