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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFN100N65X2
IXFN100N65X2
IXFN100N65X2
Modèle de produit:
IXFN100N65X2
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH
Quantité:
83701 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXFN100N65X2.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SOT-227B
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:30 mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (max):595W (Tc)
Package / Boîte:SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:10800pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:183nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):650V
Description détaillée:N-Channel 650V 78A (Tc) 595W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:78A (Tc)
Email:[email protected]

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