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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFK55N50F
IXFK55N50F
IXFK55N50F
Modèle de produit:
IXFK55N50F
Fabricant:
IXYS RF
La description:
MOSFET N-CH 500V 55A TO264
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
65012 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXFK55N50F.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:5.5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-264 (IXFK)
Séries:HiPerRF™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:85 mOhm @ 27.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):560W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:6700pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:195nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):500V
Description détaillée:N-Channel 500V 55A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264 (IXFK)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:55A (Tc)
Email:[email protected]

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