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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFH76N15T2
IXFH76N15T2
Modèle de produit:
IXFH76N15T2
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH
Quantité:
84136 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXFH76N15T2.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-247
Séries:HiPerFET™, TrenchT2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:22 mOhm @ 38A, 10V
Dissipation de puissance (max):350W (Tc)
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:5800pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:97nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):150V
Description détaillée:N-Channel 150V 76A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:76A (Tc)
Email:[email protected]

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