IXBX75N170A
IXBX75N170A
Modèle de produit:
IXBX75N170A
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
45360 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXBX75N170A.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1700V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:6V @ 15V, 42A
Condition de test:1360V, 42A, 1 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:26ns/418ns
énergie de commutation:3.8mJ (off)
Package composant fournisseur:PLUS247™-3
Séries:BIMOSFET™
Temps de recouvrement inverse (trr):360ns
Puissance - Max:1040W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:-
gate charge:358nC
Description détaillée:IGBT 1700V 110A 1040W Through Hole PLUS247™-3
Courant - Collecteur pulsée (Icm):300A
Courant - Collecteur (Ic) (max):110A
Numéro de pièce de base:IXB*75N170
Email:[email protected]

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