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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR
IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR
IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR
Modèle de produit:
IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR
Fabricant:
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
La description:
IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
55641 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:10ns
Tension - Alimentation:2.4 V ~ 3.6 V
La technologie:SRAM - Asynchronous
Package composant fournisseur:48-TFBGA (6x8)
Séries:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:48-TFBGA
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:1Mb (64K x 16)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:SRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 10ns 48-TFBGA (6x8)
Temps d'accès:10ns
Email:[email protected]

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