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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > IS61NLP51236-200B3-TR
IS61NLP51236-200B3-TR
IS61NLP51236-200B3-TR
Modèle de produit:
IS61NLP51236-200B3-TR
Fabricant:
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
La description:
IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité:
61427 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.IS61NLP51236-200B3-TR.pdf2.IS61NLP51236-200B3-TR.pdf
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introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:-
Tension - Alimentation:3.135 V ~ 3.465 V
La technologie:SRAM - Synchronous
Package composant fournisseur:165-TFBGA (13x15)
Séries:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:165-TFBGA
Température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):2 (1 Year)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:18Mb (512K x 36)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:SRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Description détaillée:SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 165-TFBGA (13x15)
Fréquence d'horloge:200MHz
Temps d'accès:3.1ns
Email:[email protected]

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