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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > IS61DDB251236A-250M3L
IS61DDB251236A-250M3L
IS61DDB251236A-250M3L
Modèle de produit:
IS61DDB251236A-250M3L
Fabricant:
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
La description:
IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
83786 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IS61DDB251236A-250M3L.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:-
Tension - Alimentation:1.71 V ~ 1.89 V
La technologie:SRAM - Synchronous, DDR II
Package composant fournisseur:165-LFBGA (15x17)
Séries:-
Emballage:Tray
Package / Boîte:165-LBGA
Température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:18Mb (512K x 36)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:SRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 250MHz 165-LFBGA (15x17)
Fréquence d'horloge:250MHz
Email:[email protected]

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