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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > IS42S16100E-6BL
IS42S16100E-6BL
IS42S16100E-6BL
Modèle de produit:
IS42S16100E-6BL
Fabricant:
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
La description:
IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
66079 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IS42S16100E-6BL.pdf
Enquête

introduction

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Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:-
Tension - Alimentation:3 V ~ 3.6 V
La technologie:SDRAM
Package composant fournisseur:60-TFBGA (6.4x10.1)
Séries:-
Emballage:Tray
Package / Boîte:60-TFBGA
Température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:16Mb (1M x 16)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 166MHz 5.5ns 60-TFBGA (6.4x10.1)
Fréquence d'horloge:166MHz
Temps d'accès:5.5ns
Email:[email protected]

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