IRLR120NPBF
Modèle de produit:
IRLR120NPBF
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
58445 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IRLR120NPBF.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D-Pak
Séries:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:185 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max):48W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:64-4103PBF
64-4103PBF-ND
SP001577026
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4V, 10V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:N-Channel 100V 10A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount D-Pak
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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