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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > IRG7CH35UEF
IRG7CH35UEF
Modèle de produit:
IRG7CH35UEF
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
84354 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IRG7CH35UEF.pdf
Enquête

introduction

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Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:1.6V @ 15V, 5A
Condition de test:600V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:30ns/160ns
énergie de commutation:-
Package composant fournisseur:Die
Séries:-
Emballage:Bulk
Package / Boîte:Die
Autres noms:SP001536260
Température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:-
gate charge:85nC
Description détaillée:IGBT 1200V Surface Mount Die
Email:[email protected]

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