IRFR1N60ATRL
IRFR1N60ATRL
Modèle de produit:
IRFR1N60ATRL
Fabricant:
Vishay / Siliconix
La description:
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité:
80120 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IRFR1N60ATRL.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Test:229pF @ 25V
Tension - Ventilation:D-Pak
Vgs (th) (Max) @ Id:7 Ohm @ 840mA, 10V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Séries:-
État RoHS:Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.4A (Tc)
Polarisation:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:IRFR1N60ATRL
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:14nC @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:4V @ 250µA
Fonction FET:N-Channel
Description élargie:N-Channel 600V 1.4A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount D-Pak
Tension drain-source (Vdss):-
La description:MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:600V
Ratio de capacité:36W (Tc)
Email:[email protected]

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