| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.35V @ 100µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PQFN (5x6) Single Die |
| Séries: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.5 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 3.6W (Ta), 104W (Tc) |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | 8-PowerVDFN |
| Autres noms: | IRFH5302DTR2PBFCT |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 3635pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| Description détaillée: | N-Channel 30V 29A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 29A (Ta), 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
