IRFB18N50K
IRFB18N50K
Modèle de produit:
IRFB18N50K
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité:
53797 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.IRFB18N50K.pdf2.IRFB18N50K.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220AB
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:290 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max):220W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:*IRFB18N50K
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2830pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:120nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):500V
Description détaillée:N-Channel 500V 17A (Tc) 220W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

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