IRF7807VPBF
IRF7807VPBF
Modèle de produit:
IRF7807VPBF
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
75119 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IRF7807VPBF.pdf

introduction

IRF7807VPBF meilleur prix et livraison rapide.
BOSER Technology est le distributeur pour IRF7807VPBF, nous avons les stocks pour une expédition immédiate et aussi pour une fourniture à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour IRF7807VPBF par courriel, nous vous donnerons le meilleur prix en fonction de votre plan.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-SO
Séries:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:25 mOhm @ 7A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):2.5W (Ta)
Emballage:Tube
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:SP001551538
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:8.3A (Ta)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes