IRF6629TRPBF
IRF6629TRPBF
Modèle de produit:
IRF6629TRPBF
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
71816 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IRF6629TRPBF.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.35V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DIRECTFET™ MX
Séries:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.1 mOhm @ 29A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.8W (Ta), 100W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:DirectFET™ Isometric MX
Autres noms:IRF6629TRPBFTR
SP001526802
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4260pF @ 13V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:51nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):25V
Description détaillée:N-Channel 25V 29A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:29A (Ta), 180A (Tc)
Email:[email protected]

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