IPU80R1K4CEAKMA1
IPU80R1K4CEAKMA1
Modèle de produit:
IPU80R1K4CEAKMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 800V TO251-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
43980 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IPU80R1K4CEAKMA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3.9V @ 240µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO251-3
Séries:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Dissipation de puissance (max):63W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms:SP001593930
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:570pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):800V
Description détaillée:N-Channel 800V 3.9A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO251-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3.9A (Tc)
Email:[email protected]

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