IPP80N03S4L03AKSA1
IPP80N03S4L03AKSA1
Modèle de produit:
IPP80N03S4L03AKSA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
55580 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IPP80N03S4L03AKSA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 90µA
Vgs (Max):±16V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO220-3-1
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.7 mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (max):136W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:IPP80N03S4L-03
IPP80N03S4L-03-ND
IPP80N03S4L03
SP000275328
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:9750pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:140nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 80A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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