IPB60R099P7ATMA1
IPB60R099P7ATMA1
Modèle de produit:
IPB60R099P7ATMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH TO263-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
74309 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IPB60R099P7ATMA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 530µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D²PAK (TO-263AB)
Séries:CoolMOS™ P7
Rds On (Max) @ Id, Vgs:99 mOhm @ 10.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):117W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:IPB60R099P7
IPB60R099P7ATMA1-ND
IPB60R099P7ATMA1TR
SP001664910
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1952pF @ 400V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):650V
Description détaillée:N-Channel 650V 31A (Tc) 117W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:31A (Tc)
Email:[email protected]

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