IMB4AT110
IMB4AT110
Modèle de produit:
IMB4AT110
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
48852 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IMB4AT110.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:SMT6
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):-
Résistance - Base (R1):10 kOhms
Puissance - Max:300mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-74, SOT-457
Autres noms:IMB4AT110-ND
IMB4AT110TR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:250MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):-
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Numéro de pièce de base:MB4
Email:[email protected]

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