| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Inverse de crête (max): | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 7.5A (DC) |
| Tension - Ventilation: | Sawn on foil |
| Séries: | thinQ!™ |
| État RoHS: | Bulk |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | 380pF @ 1V, 1MHz |
| Polarisation: | Die |
| Autres noms: | SP001155260 |
| Température d'utilisation - Jonction: | 0ns |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | IDC08S120EX7SA1 |
| Description élargie: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 7.5A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
| Configuration diode: | 180µA @ 1200V |
| La description: | DIODE SCHOTTKY 1200V 7.5A DIE |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 1.8V @ 7.5A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 1200V (1.2kV) |
| Capacité à Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
