HN1B04FU-GR,LF
HN1B04FU-GR,LF
Modèle de produit:
HN1B04FU-GR,LF
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
86468 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
HN1B04FU-GR,LF.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA
Transistor Type:NPN, PNP
Package composant fournisseur:US6
Séries:-
Puissance - Max:200mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms:HN1B04FU-GR(L,F,T)
HN1B04FU-GR(LFT)TR
HN1B04FU-GR(LFT)TR-ND
HN1B04FU-GR,LF(B
HN1B04FU-GR,LF(T
HN1B04FU-GRLF
HN1B04FU-GRLF-ND
HN1B04FU-GRLFT
HN1B04FU-GRLFTR
Température de fonctionnement:125°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:150MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:200 @ 2mA, 6V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):150mA
Email:[email protected]

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