HGTG40N60A4
HGTG40N60A4
Modèle de produit:
HGTG40N60A4
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 600V 75A 625W TO247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
73258 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
HGTG40N60A4.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.7V @ 15V, 40A
Condition de test:390V, 40A, 2.2 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:25ns/145ns
énergie de commutation:400µJ (on), 370µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247
Séries:-
Puissance - Max:625W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:HGTG40N60A4_NL
HGTG40N60A4_NL-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:-
gate charge:350nC
Description détaillée:IGBT 600V 75A 625W Through Hole TO-247
Courant - Collecteur pulsée (Icm):300A
Courant - Collecteur (Ic) (max):75A
Email:[email protected]

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