HAT2169H-EL-E
HAT2169H-EL-E
Modèle de produit:
HAT2169H-EL-E
Fabricant:
Renesas Electronics America
La description:
MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
66373 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
HAT2169H-EL-E.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:LFPAK
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.5 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max):30W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:SC-100, SOT-669
Autres noms:HAT2169H-EL-ECT
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:6650pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):40V
Description détaillée:N-Channel 40V 50A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount LFPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:50A (Ta)
Email:[email protected]

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