H11G2VM
H11G2VM
Modèle de produit:
H11G2VM
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
59522 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
H11G2VM.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Sortie (max):80V
Tension - Isolement:4170Vrms
Tension - Forward (Vf) (Typ):1.3V
Vce Saturation (Max):1V
Activer / éteindre l'heure (Typ):5µs, 100µs
Package composant fournisseur:6-DIP
Séries:-
Rise / Fall Time (Typ):-
Emballage:Tube
Package / Boîte:6-DIP (0.300", 7.62mm)
Le type de sortie:Darlington with Base
Température de fonctionnement:-40°C ~ 100°C
Nombre de canaux:1
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:DC
Description détaillée:Optoisolator Darlington with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-DIP
Rapport du transfert de courant (min):1000% @ 10mA
Rapport du transfert de courant (max):-
Courant - Sortie / Canal:-
Courant - DC Forward (If) (Max):60mA
Email:[email protected]

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