GPAS1006 MNG
Modèle de produit:
GPAS1006 MNG
Fabricant:
TSC (Taiwan Semiconductor)
La description:
DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
79907 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
GPAS1006 MNG.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.1V @ 10A
Tension - inverse (Vr) (max):800V
Package composant fournisseur:TO-263AB (D²PAK)
La vitesse:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:GPAS1006 MNG-ND
GPAS1006MNG
Température d'utilisation - Jonction:-55°C ~ 150°C
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type de diode:Standard
Description détaillée:Diode Standard 800V 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
Courant - fuite, inverse à Vr:5µA @ 800V
Courant - Rectifié moyenne (Io):10A
Capacité à Vr, F:50pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

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