| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Inverse de crête (max): | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 10A (DC) |
| Tension - Ventilation: | TO-252-2L (DPAK) |
| Séries: | Amp+™ |
| État RoHS: | Tube |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | 635pF @ 1V, 1MHz |
| Polarisation: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | 1560-1045-5 |
| Température d'utilisation - Jonction: | 0ns |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 4 Weeks |
| Référence fabricant: | GP2D010A120C |
| Description élargie: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 10A (DC) Surface Mount TO-252-2L (DPAK) |
| Configuration diode: | 20µA @ 1200V |
| La description: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 1.8V @ 10A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 1200V (1.2kV) |
| Capacité à Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
